Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира из расплава. Метод Киропулоса характеризуется малыми температурными градиентами на фронте кристаллизации. К основным преимуществам относятся техническая простота процесса и возможность выращивания кристаллов больших размеров (>500 кг) с низкой плотностью дислокаций.
Метод Киропулоса впервые был применен для выращивания кристаллов сапфира в 1970-х годах в Советском Союзе.В 1990-х был модернизирован проф. М.И.Мусатовым и получил название - метод ГОИ.
По методу Киропулоса весь объем исходного сырья кристаллизуется в буль. Размер и соотношение сторон тигля близки к размеру конечного кристалла, и кристалл растет вниз, в тигель. Вытягивание затравки вверх (предложил М.И. Мусатов) происходит гораздо медленнее, чем рост кристалла вниз, и служит в первую очередь для формирования мениска границы раздела кристалл-жидкость за счет поверхностного натяжения.
Скорость роста управляется путем медленного снижения температуры до тех пор, пока весь расплав не кристаллизуется. Подвешивание затравки к датчику веса обеспечивает обратную связь для определения скорости роста.
Процесс проводят в протоке аргона, или в условиях высокого вакуума.
Установка предназначена для плавления, синтезирования и выращивания методом...
Предназначены для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида...
Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира любой...
Предназначены для выращивания монокристаллов кремния из расплава. Могут...
Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира и рубина по любой...